این مقاله با عنوان

Role of doping at the surface of titanium nitride thin films towards capacitive charge storage enhancement nitrogen

«نقش دوپینگ در سطح فیلم‌های نازک نیترید تیتانیوم به سمت ذخیره‌سازی بار خازنی با افزایش نیتروژن » در مجله بین المللی منابع انرژی(قدرت) با ضریب تاثیر ۶/۴ منتشر شده است.

این مقاله توسط علی آرمان از اعضای گروه پژوهشی فناوری خلأ سازمان جهاد دانشگاهی صنعتی شریف و همکاران پژوهشگر آنها انجام و نوشته شده است.

در چکیده این مقاله آمده است:

اخیراً پایداری چرخه‌ای قابل توجه الکترودهای TiN با ظرفیت ویژه جهت استفاده خازنی بالا گزارش شده است.

انتظار می‌رود که نیتروژن (β−N) دوپینگ شده در سطح اکسید شده فیلم TiN نقش مهمی در مکانیزم ذخیره‌سازی بار و پایداری این مواد ایفا نماید.

در این تحقیق، روشی در مورد اثر دوپینگ β−N روی بهبود ظرفیت لایه نازک‌های TiN بازپخت شده در خلأ، پیشنهاد شده است.

بازپخت فیلم‌های TiN به انتشار بیش از حد β−N از زیرسطح به سطح فیلم TiN اکسید شده با اکسیداسیون بیشتر سطح الکترودی می‌انجامد.

افزایشی در ظرفیت TiN براساس افزایش در مقدار دوپینگ β−N مشاهده شد.

ظرفیت بار فیلم‌های بازپخت شده بدون به خطر انداختن پایداری چرخه‌ای الکترودها بعد از ۱۰۰۰۰ چرخه بارگیری/تخلیه پشت سر هم، سه برابر (۸٫۲ میکروفاراد، ۲ سانتی‌متر در الکترولیت آبی (K2SO4) افزایش یافته است.