چاپ مقاله ی عضو گروه پژوهشی فناوری خلأ سازمان جهاد دانشگاهی صنعتی شریف در مجله بین المللی سیلیکون

این مقاله با عنوان «بررسی تغییرات سطح ویفرهای سیلیکونی پس از پخت و عملیات تمیز کاری پلاسمایی» در نشریه بین المللی Silicon – manuscript acceptance منتشر شده است.

این مقاله با عنوان انگلیسی
Evaluation of the Topographical Surface Changes of Silicon Wafers after Annealing and Plasma Cleaning
توسط مهندس علی آرمان از اعضا گروه پژوهشی فناوری خلأ از سازمان جهاد دانشگاهی صنعتی شریف نگارش شده است.

در چکیده این مقاله آمده است:
هدف از این پژوهش بررسی اثر دما و پلاسما بر مورفولوژی سطح ویفر های سیلیکونی تک کریستال با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی بوده است. این نتایج نشان داد که عملیات تمیز کاری خود می تواند موجب تغییراتی در سطح شده و کیفیت سطح بهبود نیابد.

[post_thumbnail]

مطلب قبلی
مهندس حمزه:«رحمت»؛ پروژه‌ای که معادلات جنگ را تغییر داد
مطلب بعدی
تقدیر از مرکز آموزش های پیشرفته سازمان جهاد دانشگاهی صنعتی شریف در پنجمین جشنواره صنعت آبکاری ایران

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

Fill out this field
Fill out this field
لطفاً یک نشانی ایمیل معتبر بنویسید.

فهرست