اخبار
مقالات-شریف 960926

 

این مقاله با عنوان «بررسی تغییرات سطح ویفرهای سیلیکونی پس از پخت و عملیات تمیز کاری پلاسمایی» در نشریه بین المللی Silicon – manuscript acceptance  (سیلیکون) منتشر شده است.

 این مقاله با عنوان انگلیسی

Evaluation of the Topographical Surface Changes of Silicon Wafers after Annealing and Plasma Cleaning

توسط مهندس علی آرمان از اعضا گروه پژوهشی فناوری خلأ  از سازمان جهاد دانشگاهی صنعتی شریف نگارش شده است.

 

در چکیده این مقاله آمده است:

هدف از این پژوهش بررسی اثر دما و پلاسما بر مورفولوژی سطح ویفر های سیلیکونی تک کریستال با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی بوده است. این نتایج نشان داد که عملیات تمیز کاری خود می تواند موجب تغییراتی در سطح شده و کیفیت سطح بهبود نیابد.

مطلب قبلی
مهندس حمزه:«رحمت»؛ پروژه‌ای که معادلات جنگ را تغییر داد
مطلب بعدی
چاپ مقاله ی عضو گروه پژوهشی فناوری خلأ سازمان جهاد دانشگاهی صنعتی شریف در مجله بین المللی اپتیک و کوانتوم

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

این فیلد را پر کنید
این فیلد را پر کنید
لطفاً یک نشانی ایمیل معتبر بنویسید.

فهرست