کاربردها:
– ساخت نیمه‌هادی‌ها
– ساخت مدارات مجتمع
– فوتونیک و اپتوالکترونیک
– ساخت لایه‌های اپتیکی دقیق
– ساخت لایه‌های محافظ در برابر سایش و خوردگی
– ساخت لایه‌های کاربردی در ادوات ذخیره‌سازی داده
مشخصات دستگاه:
– داراي صفحه كار و درب مستقل
– فشار نهایی: محدوده 6-10 میلی بار
– حجم محفظه فرآیند: تقریباً 110 لیتر
– جنس محفظه فرآیند: استيل ضدزنگ
– ابعاد دهانه پمپ اصلی: ISO-K160
– نوع عملکرد: نیمه اتوماتیک با انواع حفاظت‌ها
– نحوه جابه‌جایی محفظه: بالابر الکتروپنوماتیک
• تجهیزات نصب شده روی دستگاه:
– چشمه پرتو پهن یون
– منبع تبخیر پرتو الکترونی با توان 3 کیلووات
– کاتد مگنترون اسپاترینگ (دو یا سه اینچ) جریان مستقیم
– منبع تبخیر مقاومتی با حداکثر جریان 250 آمپر
– ضخامت‌سنج کریستالی کامپیوتری
– نگهدارنده نمونه چرخان
– گرم‌کن نمونه تابشی با کنترلر دما
• مزایای چشمه‌های یون در مقایسه با روش‌های لایه‌نشانی دیگر:
– کنترل نوع یون (جرم و بار یون)
– کنترل مستقل چگالی و انرژی یون
– تولید چندلایه‌ای‌ها بدون شکستن خلأ
– کنترل راستای فرود یون نسبت به سطح هدف یا زیرآیند
– جدا بودن فرآیند تولید یون از فرآیند مربوط به هدف یا زیرآیند
